射頻放電離子鍍裝置特點(diǎn)
射頻放電離子鍍裝置特點(diǎn)
①蒸發(fā)、離化和加速三種過程可分別獨(dú)立控制。離化是靠射頻激勵(lì),而不是靠加速直流電場(chǎng)激勵(lì),基體周圍并不產(chǎn)生陰極暗區(qū)。
②射頻離子鍍?cè)?0-3~10-1Pa高真空環(huán)境下也可穩(wěn)定放電工作,離化率高,可達(dá)5%-15%.提高了沉積粒子的總能蟹,改善了鍍層的致密度和結(jié)晶的結(jié)構(gòu)。因此制備的鍍層表面缺陷及針孔少,膜層質(zhì)量均勻致密,純度高.質(zhì)最好。尤其對(duì)制備氧化膜和氮化膜等化合物膜十分有利。
③易進(jìn)行活性反應(yīng)離子鍍.合成化合物和對(duì)非金屬基體沉積具有優(yōu)勢(shì)。
④基體沮升低.操作方便,易于控制。
射頻離子鍍的不足之處是: www.bttyby
①由于在高真空下鍍膜,沉積拉子受氣體粒子的碰撞散射較小,繞鍍性差。
②射頻輻射對(duì)人體有傷害,必須注意采用合適的電源與負(fù)載的藕合匹配網(wǎng)絡(luò).同時(shí)要有良好的接地,防止射預(yù)泄翻。另外,要有良好的射振屏蔽,減少或防止射頻電源對(duì)側(cè)盆儀表的干擾。
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